フラッシュメモリに関する記述
フラッシュメモリはブロック単位で書き換えを行います。 このため正解は「エ」です。 SRAM(Static RAM)の説明です。フラッシュメモリは、HDDと比較すれば高速ですが、キャッシュメモリとして使用できるほど高速ではありません。 UV-EPROM(紫外線消去型EPROM)の説明です。フラッシュメモリは電気的に書換えを行います。 DRAM(Dynamic RAM)の説明です。フラッシュメモリは不揮発性メモリです。
半導体メモリの種類とモジュール
フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。
出典
平成30年度 春期 基本情報技術者試験 午前 問22
ア
高速に書換えができ,CPUのキャッシュメモリに用いられる。
イ
紫外線で全データ一括消去できる。
ウ
周期的にデータの再書込みが必要である。
エ
ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
前の問題
スキップ
【正解・解説】フラッシュメモリに関する記述|平成30春 基本情報 午前 問22 | IT資格ラボ