MLC（Multi-Level Cell: 多値セル）フラッシュメモリ は、浮遊ゲート（フローティングゲート）またはチャージトラップ層に蓄える電子の量を精密に制御し、しきい値電圧を4段階以上に分けることで、 1つの物理メモリセルに2ビット以上のデータを記憶させる技術 （狭義のMLCは2ビット/セル）です。1ビットのみを記憶するSLC（Single-Level Cell）と比較して、記憶容量あたりの製造コストを大幅に削減できる利点があります。したがって、正解は ウ です。 ア: 微小コンデンサの電荷蓄積を利用してデータを保持するのは「DRAM」の特徴です。 イ: 電気抵抗の高低（相変化や磁気抵抗変化）を利用してデータを記憶するのは「ReRAM（抵抗変化型メモリ）」や「MRAM」の特徴です。 エ: フリップフロップ回路を利用してデータを保持するのは「SRAM」の特徴です。