DRAMは単純なセル構造で高集積化しやすくビット単価を下げられるため、エです。 DRAMの1ビットは主にトランジスタとコンデンサから成り、SRAMよりセルを小さくできます。その代わり、電荷が失われるので定期的なリフレッシュが必要な揮発性メモリです。 ブロック単位で消去するのはフラッシュメモリの特徴です。 DRAMは電荷を保持するため定期的なリフレッシュが必要です。 DRAMは揮発性なので、電源を切ると記憶内容を保持できません。