フラッシュメモリ （Flash Memory）は、電気的にデータの消去・書込みが可能な不揮発性半導体メモリです。物理的な構造上、データを上書き（オーバーライト）することができず、 書換えを行う際にはあらかじめ対象ブロックのデータを一括消去してから新たなデータを書き込む 必要があります。したがって、 エ が正解です。 絶縁酸化膜の劣化により、書込み・消去回数には物理的な上限（P/Eサイクル寿命、一般に数万〜数十万回程度）が存在します。 回路基板に実装した状態のまま電気的な信号で書換えが可能なEEPROMの一種であり、基板から外して専用ROMライターで書き込む必要はありません（それは紫外線消去型EPROM等の特徴です）。 電源を切っても記憶内容が保持される不揮発性メモリであり、DRAMのような定期的なリフレッシュ動作は不要です。