フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として，適切なものはどれか。

出典令和5年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問11
ア
各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように，物理的な書込み位置を選択する。
イ
記憶するセルの電子の量に応じて，複数のビット情報を記録する。
ウ
不良のブロックを検出し，交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。
エ
ブロック単位でデータを消去し，新しいデータを書き込む。