フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの目的

ウェアレベリング（Wear Leveling：摩耗均等化）は、フラッシュメモリ（SSDやメモリカードなど）において、データの書込み・消去が特定のブロックに偏らないよう物理的な書込み位置を均等に分散させる技術です。ブロックごとの書換え寿命の偏りを防ぎ、ストレージ全体の寿命を最大化します。 メモリセル内の電荷量（電圧レベル）に応じて複数ビットを記録する技術は、MLC（Multi-Level Cell）やTLC（Triple-Level Cell）などの多値記憶技術です。 不良ブロックを検知して予備領域の正常ブロックに代替割り当てする技術は、バッドブロック管理（リマップ処理）です。 ブロック単位でデータを消去し、ページ単位で書き込むのはフラッシュメモリ自体の基本動作特性であり、ウェアレベリングの説明ではありません。

フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として，適切なものはどれか。

出典令和5年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問11
ア
各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように，物理的な書込み位置を選択する。
イ
記憶するセルの電子の量に応じて，複数のビット情報を記録する。
ウ
不良のブロックを検出し，交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。
エ
ブロック単位でデータを消去し，新しいデータを書き込む。