FeRAM（強誘電体メモリ）の特徴

FeRAM（Ferroelectric RAM）は、強誘電体の分極反転を利用した不揮発性メモリです。フラッシュメモリに比べて書換え可能回数が10の12乗回以上と極めて多く、低消費電力かつバイト単位の高速書換えが可能です。 SRAMのメモリセル構成の説明です。FeRAMは1トランジスタ・1キャパシタ等で構成されます。 DRAMの説明です。FeRAMは不揮発性のためリフレッシュ動作は不要です。 フラッシュメモリ（特にNAND型）の説明です。FeRAMはバイト単位での直接書換えが可能です。

FeRAMの説明として、適切なものはどれか。

出典令和7年度 秋期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問3
ア
1ビットのメモリセルは4個〜6個のトランジスタで構成される。
イ
データ保持のためにリフレッシュが必要である。
ウ
バイト単位で書換えができず、ブロック単位で一括して書き換える。
エ
フラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く、書換え速度も高速にできる。